Компания Samsung Electronics недавно объявила о возрождении своей революционной технологии высокопроизводительных накопителей Z-NAND, после почти семилетнего перерыва. Эта инновационная разработка нацелена на перспективный рынок систем искусственного интеллекта и больших данных, предлагая значительно более высокую скорость работы по сравнению с традиционными твердотельными накопителями (SSD). Возобновление интереса к технологии связано с необходимостью повышения эффективности обработки информации в эпоху цифровизации, и Samsung надеется занять свою нишу в этом сегменте.
Что касается технических характеристик, новая технология Z-NAND обещает обеспечить до 15-кратного прироста производительности по сравнению с современными NVMe SSD. Такие показатели станут значительным шагом вперёд в мире хранения данных, что особенно важно для систем, выполняющих сложные вычислительные задачи и обучение нейросетей. Помимо этого, планируется существенное снижение энергопотребления — до 80% в сравнительной оценке с традиционной флеш-памятью NAND. Это особенно актуально для центров обработки данных, где энергоэффективность является важнейшим критерием при выборе оборудования.
Одним из ключевых нововведений новой реализации Z-NAND станет интеграция поддержки технологии GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS). Эта технология даст возможность графическим процессорам (GPU) обращаться напрямую к данным на накопителе Z-NAND, минуя посредничество центрального процессора и оперативной памяти. Такой подход значительно снизит задержки в доступе к информации, что критически важно для задач, связанных с искусственным интеллектом и обработкой больших массивов данных. Благодаря сокращению времени ожидания выполнения команд, системы смогут достигать высокой скорости обмена информацией, что в конечном итоге повысит эффективность работы ИИ-приложений.
Технологическая основа новой Z-NAND базируется на использовании усовершенствованной памяти SLC V-NAND с уменьшенными размерами страниц — до 2-4 КБ. Это обеспечивает более быстрый доступ к небольшим блокам данных и оптимизацию обработки информации на уровне памяти. Такой подход улучшает отклик системы и повышает способность удерживать высокие показатели скорости даже при выполнении интенсивных задач.
Изначально технология Z-NAND была разработана как альтернатива Intel 3D XPoint, более известной под брендом Optane. Оба решения имели целью занять нишу промежуточного уровня между быстрым, но дорогим DRAM и стандартными NAND SSD, предоставляя баланс производительности и стоимости. Однако с течением времени Intel прекратила развитие линейки Optane, что создало для Samsung новые возможности. Компания видит потенциал в своей разработке в условиях стремительного роста рынка искусственного интеллекта и аналитики данных, где скорость и эффективность хранения информации имеют критическое значение.
В заключение можно сказать, что возобновление технологии Z-NAND — это стратегический шаг Samsung, направленный на укрепление позиций в сфере высокопроизводительных решений для обработки данных и ИИ. Улучшенные характеристики, такие как высокая скорость, низкое энергопотребление и интеграция с GPU, позволяют надеяться на появление новых возможностей для ускорения вычислительных процессов. В будущем такие накопители могут стать стандартом для центров обработки данных, исследовательских лабораторий и компаний, ведущих разработки в области машинного обучения и аналитики.
Это новый виток развития технологий хранения данных, который обещает значительно изменить текущие подходы к организации и скорости обработки информации. В условиях постоянного роста объемов данных и требований к скорости работы систем, инновации Samsung могут стать важным дополняющим звеном в инфраструктуре современных IT-решений.
